EUV‐Lithographie für zukünftige IC‐Chips. EUV‐Lithography for Future IC‐Technology

Abstract Der überwältigende Erfolg der Halbleiterindustrie basierte in der Vergangenheit auf der Realisierung immer kleinerer Strukturen auf IC‐Chips in immer kürzeren Zeiträumen. Damit konnte die Rechengeschwindigkeit der Prozessoren und das Speichervolumen der Speicherbauelemente stetig gesteigert werden. Diese Reduktion der minimalen Strukturgröße hat die optische Lithographie vor allem durch den Übergang auf kürzere Belichtungswellenlängen gemeistert.

Die zur Zeit in der Entwicklungs‐ und Erprobungsphase befindlichen Lithographietechnologien, basierend auf 193 nm‐ oder auch 157 nm‐Laserquellen, werden jedoch Strukturgrößen um 50 nm nicht mehr erreichen. Ein grundsätzlicher Technologiewechsel zeichnet sich somit ab. Die zur Zeit favorisierte Produktionsgrundlage für Strukturgrößen von 50 nm und darunter bildet die EUV Lithographie, basierend auf einer optischen Technologie mit 13,4 nm Belichtungswellenlänge.

Diese erhebliche Reduzierung der Wellenlänge bedingt aber auch eine radikale Änderung der bisher benutzten Methodik.